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J-GLOBAL ID：200903046374184968

ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法

Inventor： ショウォルター,レオ,ジェイ ,  スラック,グレン,エー
Applicant, Patent owner： クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008543541
Publication number (International publication number)：2009518263
Application date： Dec. 04, 2006
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

高い導電率及び移動度を有するドープされたAlN結晶及び/又はAlGaNエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。

Claim (excerpt)：

ドープされたAlN結晶を形成する方法であって、 a.AlN及び複数の不純物種を含む混晶を形成し、 b.前記混晶の少なくとも一部中で少なくとも1つの不純物種を電気的に活性化し、ドープされたAlN結晶を形成する ステップを含む、方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4)：

C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 C

F-Term (25)：

4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077FA08 ,  4G077FE05 ,  4G077FE10 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077FH01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA57

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜の合成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208612   Applicant：科学技術振興事業団