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J-GLOBAL ID：200903046416473850

太陽電池およびその製造方法、並びに多層薄膜形成方法

Inventor： 進藤 晶弘 ,  小坂 大介
Applicant, Patent owner： 株式会社クリスタルデバイス
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310981
Publication number (International publication number)：1995240531
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 安価で変換効率の高い太陽電池を得る。【構成】 ガラス製透明基板251に透明電導膜252を形成し、その上にアモルファス状に形成すると同時に指向性の高いNe原子流を各半導体層212,214に照射することによって、各入射方向に垂直に最稠密面が配向するよう単結晶化してp型の第1の半導体層253を形成する。この際、第1の半導体層253を可及的に薄く形成し、光透過性を上げる。その上にアモルファス系の真性半導体層255を形成し、さらにアモルファス系または結晶系のn型の第2の半導体層254を形成する。主に長波長光は第1の半導体層253で吸収し、短波長光は真性半導体層255で吸収する。第1の半導体層253が単結晶であるため、少数担体の吸収が少なく変換効率が向上する。【効果】 変換効率が高く、しかも安価に製造可能である。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上面側に該基板と異なる材料で形成された第1導電型の第1の半導体膜と、該第1の半導体膜に接続される第1の電極と、前記第1の半導体膜の上面に形成された第2導電型の第2の半導体膜と、該第2の半導体膜側に接続される第2の電極とを備え、前記第1の半導体膜および第2の半導体膜は単結晶膜で構成されたことを特徴とする太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264852   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭64-051671
  
• 特開昭58-127386
  
• 特開昭62-128572