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J-GLOBAL ID：200903046419378882

光半導体素子

Inventor： 北村 昌太郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345118
Publication number (International publication number)：1999191656
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光ゲートスイッチとして機能するSOAの光導波路の両端に、レンズ系を用いずに光ファイバを直接的に光接続したとき、入力側の光ファイバから光導波路の周囲に入射された非導波の迷光が、出力側の光ファイバに入らないようにする。【解決手段】 光導波路3を湾曲した形状に形成し、光導波路3の両端に位置する一対の光ファイバ15が直接に対向しないようにした。

Claim (excerpt)：

一端から入力される光線を他端から出力する光導波路を具備し、該光導波路の少なくとも一部が光線を増幅する光増幅媒体として機能する光半導体素子において、該光導波路の少なくとも一部が湾曲した形状に形成されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (5)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/30 ,  H01S 3/06 ,  H01S 3/10

FI (6)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/30 ,  H01S 3/06 ,  H01S 3/10 Z ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光導波路デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-406230   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-159513