マイクロ-エレクトリックデバイス用の無機浸透層

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001511671
Publication number (International publication number)：2003505046
Application date： Jun. 09, 2000
Publication date： Feb. 12, 2003
Summary：

【要約】本発明は、分子生物学反応のためのマイクロ-電極デバイス上に無機浸透層を沈積させる方法、およびそれによって作成されるデバイスに関する。浸透層は好ましくはゾル-ゲルである。ゾル-ゲル浸透層は、所定の多孔度、ポアサイズ分布、ポア形態、および表面積を持つものとして作成することができる。また、ゾル-ゲル浸透層はマイクロ-位置エレクトリックデバイスの付着層としても機能することができる。

Claim (excerpt)：

基材; 該基材上の複数の選択的にアドレス可能な電極; 該電極に隣接した浸透層、該浸透層はゾル-ゲル組成物であり;および該電極に選択的にアドレスするための電源;を含むことを特徴とする、溶液を受容するのに適したエレクトロニックデバイス。

IPC (8)：

C12M 1/00 , B81B 1/00 , B81C 1/00 , C12Q 1/68 , G01N 37/00 102 , G01N 27/447 , G01N 33/53 , G01N 33/566

FI (8)：

C12M 1/00 A , B81B 1/00 , B81C 1/00 , C12Q 1/68 A , G01N 37/00 102 , G01N 33/53 M , G01N 33/566 , G01N 27/26 315 Z

F-Term (15)：

4B029AA07 , 4B029BB17 , 4B029BB20 , 4B029CC03 , 4B029CC08 , 4B029FA12 , 4B063QA01 , 4B063QA18 , 4B063QQ42 , 4B063QQ52 , 4B063QR55 , 4B063QR82 , 4B063QS34 , 4B063QS36 , 4B063QX02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

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Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-509662 Applicant：ナノゲン・インコーポレイテッド
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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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