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J-GLOBAL ID：200903046540490770

窒化珪素回路基板、半導体装置及び窒化珪素回路基板の製造方法

Inventor： 角野 裕康 ,  堀口 昭宏 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998063515
Publication number (International publication number)：1999154719
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化珪素セラミック板と金属回路板との接合の強度及び信頼性が向上した窒化珪素回路基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】 窒化珪素回路基板1において、アルミナ成分を含む化合物を含有する中間層3を介して窒化珪素セラミック板2と金属回路板4,5とが接合され、中間層のアルミナ成分濃度は窒化珪素セラミック板側よりも金属回路板側において高い。窒化珪素セラミック板上に形成された中間層をアルミナを含有する固体面に接触させながら加熱してアルミナ成分濃度を調整する。又、チタン及び窒素により接合強度が更に改善される。

Claim (excerpt)：

酸化アルミニウム成分を含む化合物を含有する中間層を介して窒化珪素セラミック板と金属回路板とが接合されている窒化珪素回路基板であって、該中間層の酸化アルミニウム成分濃度は該窒化珪素セラミック板側よりも該金属回路板側において高いことを特徴とする窒化珪素回路基板。

IPC (3)：

H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/20

FI (3)：

H01L 23/14 C ,  C04B 37/02 A ,  H05K 3/20 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高熱伝導性窒化けい素回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034933   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-078166