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J-GLOBAL ID：200903046563769730

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994180950
Publication number (International publication number)：1996023100
Application date： Jul. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 特性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)およびTFTを有する半導体集積回路を提供する。【構成】 アモルファス状態もしくは結晶性の半導体活性層の上方および下方にゲイト電極を配置した構造のTFT。TFTのソース/ドレインは、上方のゲイト電極をマスクとして不純物を注入し、さらに、シリサイド領域を設けることにより、ソース/ドレインのシート抵抗を低減せしめる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタにおいて、第1のゲイト電極と、その表面が陽極酸化物で被覆された第2のゲイト電極と、第1および第2のゲイト電極の間に存在する実質的に真性のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対のN型もしくはP型の不純物領域と、前記不純物領域の外側に設けられた1対のシリサイド領域とを有することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-072769
  
• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-297650   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-010660