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J-GLOBAL ID：200903046620413335

半導体レーザ

Inventor： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022275
Publication number (International publication number)：1997219558
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層を備えた半導体レーザである。さらに、活性層204に隣接したスペーサ層205と、可飽和吸収層206とを有している。可飽和吸収層206に隣接するスペーサ層およびp型クラッド層に高ドープすることにより、キャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られ、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層と、可飽和吸収層とを備え、前記可飽和吸収層の不純物濃度が、少なくとも5×1017(cm-3)以上であり、前記可飽和吸収層に隣接する少なくとも1つの層の前記可飽和吸収層側の不純物濃度が、5×1017(cm-3)より大きいことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038561   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038561   Applicant：三洋電機株式会社