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J-GLOBAL ID:200903046623475528

半導体記憶装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997218648
Publication number (International publication number):1998125059
Application date: Aug. 13, 1997
Publication date: May. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】 セルフリフレッシュモードのエントリーを確実に行える半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 外部からの同期クロック信号に同期して動作可能な半導体記憶装置において、所定のコマンド入力があった際に、所定の一定期間内で所定の信号の状態を検出し、その検出結果に応じて半導体記憶装置をセルフリフレッシュモードにする指示を出力する回路を具備する。
Claim (excerpt):
外部からの同期クロック信号に同期して動作可能な半導体記憶装置において、所定のコマンド入力があった後、所定の信号の状態を検出し、その検出結果に応じて半導体記憶装置をセルフリフレッシュモードにする指示を出力する回路を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 半導体メモリ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-085220   Applicant:株式会社東芝
  • 特開平4-313888
  • 特開平4-313888

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