半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093724
Publication number (International publication number)：2002289793
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、特性の良好な強誘電体キャパシタを形成すること。【解決手段】第1絶縁膜10を半導体基板1の上方に形成する工程と、第1絶縁膜10の上面を平坦化する工程と、第1絶縁膜10を加熱する工程と、第1絶縁膜10上に酸化シリコン膜又は酸化アルミニウム膜よりなる第2絶縁膜12を形成する工程と、第2絶縁膜12上に酸化チタン膜13aを形成する工程と、酸化チタン膜13aの上にプラチナよりなるキャパシタ下部電極15aを形成する工程と、キャパシタ下部電極15a上にキャパシタ誘電体膜16aを形成する工程と、キャパシタ誘電体膜16a上にキャパシタ上部電極17aを形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方に形成され且つ平坦化面を有する第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の平坦化面上に形成され、前記第1絶縁膜より水素含有率が大きい酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜のいずれかよりなる第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜上に形成された酸化チタン膜と、前記酸化チタン膜の上に形成されたプラチナよりなるキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。

F-Term (20)：

5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-156849 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-010253 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-188755 Applicant：松下電子工業株式会社

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