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J-GLOBAL ID：200903046654214986

三次元回路素子およびその製造方法

Inventor： 松下 孟史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997171740
Publication number (International publication number)：1999017107
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CCDやMOS型撮像素子やトレンチ型キャパシタをメモリセルに用いたDRAMなどを含ませることができる三次元回路素子およびそのような三次元回路素子を低コストで製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を介して単結晶シリコン層3を形成し、この単結晶シリコン層3に二次元LSI4を形成する。この二次元LSI4の表面に支持基板を接着した後、多孔質シリコン層の部分で単結晶シリコン基板から二次元LSI4を剥離し、この二次元LSI4の裏面を別の単結晶シリコン基板上に形成された二次元LSI24の表面に接着する。このようにして必要な数の薄膜状の二次元LSIを張り合わせた後、最後に張り合わされた二次元LSIの裏面に、単結晶シリコン基板37に形成された二次元LSI38の表面を張り合わせ、三次元超LSIを製造する。単結晶シリコン層の厚さは形成する二次元LSIに応じて決める。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多孔質層を形成する工程と、上記多孔質層上に単結晶半導体層を形成する工程と、上記単結晶半導体層に第1の二次元回路素子を形成する工程と、上記半導体基板から上記第1の二次元回路素子を剥離し、他の基板上に転写する工程と、上記第1の二次元回路素子を第2の二次元回路素子と張り合わせる工程とを有することを特徴とする三次元回路素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 27/12

FI (4)：

H01L 27/00 301 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 3次元集積回路の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-244734   Applicant：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.