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J-GLOBAL ID：200903046696138660

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 井上 和孝 ,  生松 均
Applicant, Patent owner： 富士通カンタムデバイス株式会社
Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098033
Publication number (International publication number)：2003297854
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 複雑な製造プロセスを必要とせず、機械的強度が強く、しかも電極間の寄生容量を低減することができる構造の半導体装置及びその製造方法を実現する。【解決手段】 半導体基板(10)上に設けられたゲート電極(11)と、該ゲート電極を挟むように設けられたソース電極(12)及びドレイン電極(13)と、前記ゲート電極を覆う絶縁層(14)と、前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極とドレイン電極との間まで延びるソースウォール部(15)とを有し、該ソースウォール部の先端(15a)は前記ゲート電極の上面よりも低い位置にあるようにする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極を覆う絶縁層と、前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極とドレイン電極との間まで延びるソースウォール部とを有し、該ソースウォール部の先端は前記ゲート電極の上面よりも低い位置にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 Q

F-Term (9)：

5F102GJ05 ,  5F102GT07 ,  5F102GV00 ,  5F102GV01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15 ,  5F102HC30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245478   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-035536
  
• 特開平2-047840