Pat
J-GLOBAL ID:200903046747174399

樹脂封止型半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梅田 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995068124
Publication number (International publication number):1996264678
Application date: Mar. 27, 1995
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【構成】 半導体チップ1の回路形成面と半導体チッ1プより面積の小さいプリント基板2の配線形成面の裏面とが接着剤6により接合され、且つ、プリント基板1の配線形成面の、ワイヤー5と接続する領域及びボール状電極4が設けられる領域を除き、フッ素系等の保護用樹脂7からなる保護膜が形成され、半導体チップ1の外周部に形成された電極とプリント基板2に形成された配線とがワイヤ-5により電気的に接続され、且つ、ワイヤー5をエポキシ系の保護用樹脂3が形成され、且つ、プリント基板2の配線形成面に配線と電気的に接続されたボール状電極4を設る。【効果】 ワイヤーのループを従来より低くすることができ、また、プリント基板の厚さ又はワイヤーを保護する保護用樹脂の厚さの内、薄いほうの厚さ分だけ従来より薄型にすることができる。
Claim (excerpt):
外周部に電極が形成された半導体チップの回路形成面と該半導体チップより面積の小さいプリント基板の配線形成面の裏面とが、上記半導体チップに形成された電極が露出するように接合され、且つ、上記半導体チップの外周部に形成された電極と上記プリント基板に形成された配線とがボンディングにより電気的に接続され、且つ、上記プリント基板の配線形成面に該配線と電気的に接続されたボール状の電極を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3):
H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 電子部品組立体
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-216853   Applicant:日本電気株式会社
  • 特表平6-504408

Return to Previous Page