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J-GLOBAL ID：200903046748530911

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 橋本 順一 ,  村田 道夫 ,  生駒 暢之 ,  福井 二郎
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237025
Publication number (International publication number)：1998084162
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、レーザ光をその端面から出射するための化合物半導体層を形成し、プラズマイオンを照射することにより、この端面に形成される酸化膜を除去する。さらに、酸化膜の除去された化合物半導体層の端面に直接接触する反射膜を形成する。

Claim (excerpt)：

レーザ光をその端面から出射するための化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層の前記端面に形成される酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜の除去された前記化合物半導体層の前記端面に直接接触する反射膜を形成する工程と、を備える半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-143635
  
• 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225592   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213200   Applicant：松下電器産業株式会社