Pat

J-GLOBAL ID：200903046765876376

窒化物半導体発光ダイオード

Inventor： 梅本 整 ,  山田 孝夫 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140966
Publication number (International publication number)：1996335720
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる発光チップの電極の剥がれ、ワイヤーの切れ等を無くすことにより、長寿命で信頼性に優れた窒化物半導体LEDを提供する。【構成】 基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、JIS-A硬度30以下の樹脂か、若しくはゲル状、又は液状の封止材料で直接包囲されている。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、JIS-A硬度30以下の樹脂か、若しくはゲル状、又は液状の封止材料で直接包囲されていることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

H01L 33/00 N ,  H01L 23/18 ,  H01L 23/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭52-071179
  
• 特開昭54-019660
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-126040
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-129313   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭52-071179
  
• 特開昭54-019660
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-126040