窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129313
Publication number (International publication number)：1994338632
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のサイズを小さくすると共に、小さいサイズの発光素子から出る発光をできるだけ遮ることなく外部に取り出し発光効率を向上させる。【構成】同一面側にn型層の電極と、p型層の電極とが形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層の電極はそのn型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さらに、前記p型層の電極はそのp型層の隅部でワイヤーボンディングされている。

Claim (excerpt)：

同一面側にn型層の電極と、p型層の電極とが形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層の電極はそのn型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さらに、前記p型層の電極はそのp型層の隅部でワイヤーボンディングされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-218625
特開昭62-028765
特開昭62-002675

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