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J-GLOBAL ID：200903046786575155

集積回路装置の製造方法

Inventor： 三沢 信裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993059889
Publication number (International publication number)：1994275612
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 集積回路装置の製造方法に関し、エッチングによって銅の化合物を気化することなく、バリア層を含めた銅の配線層あるいはコンタクトの平坦化を実現する方法を提供する。【構成】 基板1の上に形成された絶縁膜2に溝状の開口3を形成し、この開口3を含む基板1の上に薄いバリア材料の堆積層を堆積し、その上に銅の堆積層を堆積した後、絶縁膜2の上に形成された銅の堆積層とバリア材料の堆積層を除去するとともに、溝状の開口3の中に堆積された銅を表面が絶縁膜2の表面より低い段差を有するように除去して銅の配線層51 とバリア層41 を形成し、この溝状の開口3の中の銅の配線層51 を含む基板1の上にバリア材料の堆積層を堆積し、このバリア材料の堆積層を平坦化研磨して開口中の銅の配線層51 の上にセルフアラインでバリア層61 を形成する。同様の工程によって配線基板上にコンタクトを形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された絶縁膜に開口を形成する工程と、該開口を含む該基板の上に銅の堆積層を堆積する工程と、該絶縁膜の上に堆積された銅の堆積層を除去するとともに、該開口中に堆積された銅を表面が該絶縁膜の表面より低い段差を有するように除去する工程と、該開口中の銅を含む基板の上にバリア材料の堆積層を堆積する工程と、該バリア材料の堆積層を平坦化研磨することによって該開口中の銅の上面にセルフアラインでバリア層を形成する工程とを含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H05K 3/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 金属配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-266966   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭63-076455
  
• 特開平2-114639
  
• 特開平4-152550