金属配線の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266966
Publication number (International publication number)：1994120219
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜に形成した配線パターンを有する溝にバリア膜及び銅を埋め込んで配線を形成することにより、微細化が容易となり、バリア膜の形成回数も削減できる。【構成】酸化シリコン膜2の上面に形成した配線パターンを有する溝を含む表面にCr膜3及びCu膜4を順次成膜し、レーザー照射によって溝内部にCu膜4を埋め込み、化学-機械研磨法によって溝内部以外の部分のCr膜3、Cu膜4を除去し表面を平坦化する。次に、全面に窒化シリコン膜5を堆積して周囲をバリア膜(Cr膜3及び窒化シリコン膜5)で覆われた銅配線を、精度良く、また、少ないバリア膜形成回数で形成する事が出来る。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた絶縁膜の上面に配線形成用パターンを有する溝を形成する工程と、前記溝を含む表面にバリアメタル膜を形成して前記溝の底面及び側面を被覆する工程と、前記溝を含むバリアメタル膜の表面に銅膜又は銅合金膜を堆積して前記溝内に埋込む工程と、化学-機械研磨法により前記溝内以外の銅膜又は銅合金膜及びバリアメタル膜を除去して表面を平坦化する工程と、前記銅膜又は銅合金膜を含む表面に銅と反応しない絶縁膜を堆積する工程とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭63-076455
特開平2-114639
特開平4-229638

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