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J-GLOBAL ID：200903046839468186

素子試験装置及び素子試験方法

Inventor： 吉村 弘幸 ,  江戸 雅晴
Applicant, Patent owner： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007303499
Publication number (International publication number)：2009128189
Application date： Nov. 22, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】半導体装置の高生産または低コスト化を実現させる。【解決手段】半導体素子20の電気的特性を評価する素子試験装置1は、半導体素子20のコレクタ電極が接するように、半導体素子20を載置する支持台11と、半導体素子20のエミッタ電極に接触する導電性樹脂30と、半導体素子20のゲート電極20gに接触する、少なくとも一つの接触子30gと、を有することを特徴とする。このような素子試験装置1を用いて、半導体素子20の素子試験を行うことにより、半導体装置の高生産または低コスト化が実現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置において、 前記半導体素子の第1の主電極が接するように前記半導体素子を載置する支持台と、 前記半導体素子の第2の主電極に接触する導電性樹脂と、 前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの接触子と、 を有することを特徴とする素子試験装置。

IPC (1)：

G01R 31/26

FI (1)：

G01R31/26 J

F-Term (11)：

2G003AA01 ,  2G003AB01 ,  2G003AB09 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  2G003AG07 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  2G003AH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体素子の試験装置および試験方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-164016   Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社