半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000354213
Publication number (International publication number)：2002158213
Application date： Nov. 21, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効率良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、窒化珪素膜又は窒化珪素酸化膜からなる第1膜と、シリコン酸化膜からなる第2膜とを順に積層し、第1エッチングガスで第2膜の所定箇所をエッチングする第1工程と、第1工程によって第1膜上に堆積した反応生成物を、第2エッチングガスで除去して第1膜を露出させる第2工程と、第2工程によって露出した第1膜を、第3エッチングガスでエッチングする第3工程と、第3工程によって基板上に堆積した反応生成物を、第4エッチングガスで除去する第4工程とを備え、それによって第1膜及び第2膜を基板表面まで貫通する所定の凹状パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、窒化珪素膜又は窒化珪素酸化膜からなる第1膜と、シリコン酸化膜からなる第2膜とを順に積層し、第1エッチングガスで第2膜の所定箇所をエッチングする第1工程と、第1工程によって第1膜上に堆積した反応生成物を、第2エッチングガスで除去して第1膜を露出させる第2工程と、第2工程によって露出した第1膜を、第3エッチングガスでエッチングする第3工程と、第3工程によって基板上に堆積した反応生成物を、第4エッチングガスで除去する第4工程とを備え、それによって第1膜及び第2膜を基板表面まで貫通する所定の凹状パターンを形成する半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/28 M , H01L 21/28 F , H01L 21/302 N , H01L 21/88 D , H01L 21/90 A , H01L 21/90 C

F-Term (55)：

4M104AA01 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD22 , 4M104DD65 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH15 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004DA00 , 5F004DA02 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033HH07 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ95 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW10 , 5F033XX09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-285197 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265828 Applicant：日本電気株式会社

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