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J-GLOBAL ID：200903094871842728

半導体装置の製造方法

Inventor：
木村 忠之

About 木村 忠之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998285197
Publication number (International publication number)：2000114372
Application date： Oct. 07, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】配線ショートとコンタクト抵抗の増大が抑制された自己整合コンタクトをエッチストップを起こさずに形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上にサイドウォール5を有するゲート電極3を形成する工程と、LDD構造のソース/ドレイン領域6、7を形成する工程と、全面にエッチングストッパー層8を形成する工程と、ゲート電極間を埋め込む有機絶縁膜14を形成する工程と、全面に層間絶縁膜9を形成する工程と、エッチングストッパー層8の表面にポリマー層を堆積させながら、層間絶縁膜9および有機絶縁膜14にエッチングを行い開口を設ける工程と、ポリマー層および前記開口底部のエッチングストッパー層8を除去してコンタクトホール10を形成する工程と、上層配線11を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、導電体層を形成する工程と、前記導電体層上に、オフセット絶縁膜を形成する工程と、前記オフセット絶縁膜および前記導電体層に所定のパターニングを行い、ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極側面に、絶縁体からなるサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールをマスクとして前記半導体基板に不純物を拡散させ、ソース/ドレイン領域を形成する工程と、全面に、絶縁体からなり、前記ゲート電極および前記サイドウォールを被覆するエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に、上端が前記ゲート電極上の前記エッチングストッパー層の高さと一致するように有機絶縁膜を形成し、前記ゲート電極間を前記有機絶縁膜により埋め込む工程と、全面に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記有機絶縁膜にエッチングを行って開口を設け、前記開口内に露出する前記エッチングストッパー層の表面に、エッチングの反応生成物であるポリマー層を堆積させながら、前記開口部の前記有機絶縁膜を除去する工程と、前記ポリマー層を除去する工程と、前記開口底部の前記エッチングストッパー層を除去し、前記ソース/ドレイン領域を露出させて、コンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に、導電体からなる上層配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/78 301 Y
F-Term (70)：
5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA12 ,  5F004EA23 ,  5F004EA26 ,  5F004EA27 ,  5F004EA33 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA02 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ57 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033VV04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09 ,  5F040DA10 ,  5F040DA14 ,  5F040DB01 ,  5F040EA08 ,  5F040EA09 ,  5F040EF02 ,  5F040EF03 ,  5F040EH02 ,  5F040EH05 ,  5F040EJ03 ,  5F040EJ08 ,  5F040EK01 ,  5F040FA02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA10 ,  5F040FA12 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FB01 ,  5F040FC21 ,  5F040FC22 ,  5F040FC27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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