マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222977
Publication number (International publication number)：1996085885
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマクリーニング時間の短縮が図れ、再現生のよい、稼働率の高い装置を提供することを目的とした。【構成】処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持されるプラズマ発生室(10)と、該プラズマ発生室(10)に、マイクロ波を導入するマイクロ波発生源(18)を有する導波管(17)と、プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構と(16)を有したマイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマを利用して試料を処理する毎に、プラズマ発生室をプラズマクリーニングする。

Claim (excerpt)：

処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室に、マイクロ波を導入するマイクロ波発生源を有する導波管と、プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構とを具備し、前記プラズマを利用して試料を処理する毎に、プラズマ発生室をO2、Ar、He、Xe、Cl、SF6、NF3ガスでプラズマクリーニングすることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 N , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平3-075373
プラズマCVD処理装置のドライクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-028574 Applicant：富士電機株式会社
ECRプラズマCVD法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146069 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平3-075373
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201717 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-075373

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