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J-GLOBAL ID：200903046904730233

回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置

Inventor： 森 勇藏
Applicant, Patent owner： 森 勇蔵
Agent (2)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004203421
Publication number (International publication number)：2006022392
Application date： Jul. 09, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】 除去加工を行うプラズマCVM法又は成膜を行うプラズマCVD法に使用するプラズマ処理方法及びその装置であって、プラズマCVMの場合には最小加工痕が、プラズマCVDの場合には最小成膜部が軸対称となるようにした回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極200とワーク201とを配設し、ワークと回転電極をXY軸方向へ相対的に走査するとともに、Z軸方向の回転軸202を有する回転電極とワークとの間に所定のギャップ203を形成するように回転電極とワークをZ軸方向へ相対的に変位させ、回転電極を回転させてギャップ近傍に渦流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極とワークとを配設し、該ワークと回転電極をXY軸方向へ相対的に走査するとともに、Z軸方向の回転軸を有する前記回転電極とワークとの間に所定のギャップを形成するように該回転電極とワークをZ軸方向へ相対的に変位させ、前記回転電極を回転させて前記ギャップ近傍に渦流を形成するとともに、該回転電極に高周波電圧を印加して前記ギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜してなることを特徴とする回転電極を用いたプラズマ処理方法。

IPC (3)：

C23C 16/509 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/24

FI (3)：

C23C16/509 ,  C23F4/00 A ,  H05H1/24

F-Term (14)：

4K030FA01 ,  4K030GA08 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA16 ,  4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DG06 ,  4K057DM06 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  4K057DN10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3295310号公報
  

Cited by examiner (1)

• 形状創成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-265957   Applicant：森勇藏, 株式会社ニコン