Pat

J-GLOBAL ID：200903046909459074

シリコン膜の形成方法

Inventor： 矢野 幸太郎 ,  橘野 裕 ,  坂脇 彰 ,  川崎 計二
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054004
Publication number (International publication number)：1995267621
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 CVD法による気相からの堆積法を用いず、塗布法で基体上にシリコン膜を形成する方法の提供。【構成】 液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させることにより塗布膜内で分解反応させるシリコン膜の形成方法、及び液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、原子状の水素を基体上に導入しながら、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させることにより塗布膜内で分解反応させるシリコン膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

水素化珪素を用いて熱分解により基体上にシリコン膜を形成する方法において、Sim H2m+2あるいはSin H2n(ただし、m、nはm≧5、n≧4であるような整数)を含有する液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させて塗布膜内で分解反応させ、該基体上にシリコン膜を形成させることを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  C23C 18/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• アモルフアスシリコン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-306340   Applicant：昭和電工株式会社