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J-GLOBAL ID：200903046932245740

半導体素子及びその製造方法

Inventor： キム, チャン-ジョン ,  ソン, イ-ホン ,  カン, ドン-フン ,  パク, ヨン-スウ
Applicant, Patent owner： サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009506414
Publication number (International publication number)：2009533884
Application date： Apr. 17, 2007
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：

下記の化学式1で表示される複合体を活性層に含む半導体素子に係り、亜鉛酸化物に複合化されるガリウム酸化物及びインジウム酸化物の含有量を調節することによって光感度特性を改善し、ディスプレイのスイッチング特性及び駆動トランジットの駆動特性が改良される。 (化1) x(Ga2O3)・y(In2O3)・z(ZnO)・・・化学式1 (ただし式中、x、y、zは、0.75≦x/z≦3.15、0.55≦y/z≦1.70である。)【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に下記の化学式1で表示される複合体を含む活性層と、 前記活性層に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、 前記活性層に形成されるゲート電極と、 前記ゲート電極と活性層との間に介在するゲート絶縁層とを有することを特徴とする半導体素子。 (化1) x(Ga2O3)・y(In2O3)・z(ZnO)・・・化学式1 (ただし式中、x、y、zは、 0.75≦x/z≦3.15であり、0.55≦y/z≦1.70である。)

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  C01G 15/00

FI (6)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  C01G15/00 Z

F-Term (32)：

5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• n型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-103409   Applicant：クワンジュインスティチュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-502848   Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.