半導体装置の製造方法、強誘電体素子の製造方法および電子機器の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008145892
Publication number (International publication number)：2009295678
Application date： Jun. 03, 2008
Publication date： Dec. 17, 2009
Summary：

【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体膜と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料(6a)を塗布する第1工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、を有する。かかる方法によれば、溶液プロセスにおいて簡易な方法で、ゲート絶縁膜の配向性を向上させることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体層と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料を塗布する第1工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/312

FI (11)：

H01L27/10 444A , H01L27/10 444B , H01L27/10 449 , H01L29/28 100A , H01L29/28 100B , H01L29/28 390 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L29/78 617T , H01L21/312 Z , H01L21/312 A

F-Term (47)：

5F058AA10 , 5F058AB02 , 5F058AB06 , 5F058AB07 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083FR05 , 5F083FZ07 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F110AA16 , 5F110BB06 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-025446 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置、半導体装置の製造方法および記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-077830 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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