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J-GLOBAL ID：200903029517128698

電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器

Inventor： 川瀬 健夫 ,  守谷 壮一 ,  原田 光明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004025446
Publication number (International publication number)：2005215616
Application date： Feb. 02, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】 有機トランジスタに接続される配線の高精細化を実現すると共に、インクジェット法を用いることにより安価、低温、低エネルギで電気光学装置用基板を製造する製造方法、及び当該製造方法によって製造された電気光学装置用基板を提供する。また、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】 基板20上に、スイッチング素子10aと、スイッチング素子10aに接続される接続配線とを具備する電気光学装置用基板10の製造方法であって、スイッチング素子10aと第1の接続配線30c、34b、34c、35を同時に光照射によるパターニングによって形成する工程と、第2の接続配線34、34aを付加的パターニング法によって形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、スイッチング素子と、当該スイッチング素子に接続される接続配線とを具備する電気光学装置用基板の製造方法であって、 前記スイッチング素子と第1の前記接続配線を同時に光照射によるパターニングによって形成する工程と、 第2の前記接続配線を付加的パターニング法によって形成する工程と、 を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。

IPC (9)：

G09F9/00 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (10)：

G09F9/00 338 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (76)：

4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD94 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA04 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094HA02 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033UU01 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB11 ,  5G435KK05 ,  5G435KK07 ,  5G435KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• 溶液処理
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-547679   Applicant：プラスティックロジックリミテッド, セイコーエプソン株式会社
• 溶液処理された素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-547677   Applicant：プラスティックロジックリミテッド

Cited by examiner (1)

• 特開平4-324832