プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994167451
Publication number (International publication number)：1996017748
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】被処理体が大口径化してもその膜厚の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】気密な処理容器4内においてサセプタ6上に載置された被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の内側或いは外側に前記サセプタと対向させて設けられた電磁波発生用のアンテナ部材22と、このアンテナ部材に接続された高周波電源32と、前記処理容器に処理ガスを供給するための供給通路56A,56Bと、この供給通路の先端に設けられて前記サセプタの上方に上下方向に複数段に亘って配置された処理ガス噴出孔58A,58Bとを備え、上段側に位置する前記ガス噴出孔を下段側に位置する前記処理ガス噴出孔よりも処理容器中心側に位置させる。これにより、被処理体が大口径化しても処理空間のプラズマや反応種の濃度を均一にでき、従って、成膜の厚みの面内均一性を大幅に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

気密な処理容器内においてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の内側或いは外側に前記サセプタと対向させて設けられた電磁波発生用のアンテナ部材と、このアンテナ部材に接続された高周波電源と、前記処理容器に処理ガスを供給するための供給通路と、この供給通路の先端に設けられて前記サセプタの上方に上下方向に複数段に亘って配置された処理ガス噴出孔とを備え、上段側に位置する前記ガス噴出孔を下段側に位置する前記処理ガス噴出孔よりも処理容器中心側に位置させることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-250976
特開平3-094422
光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181722 Applicant：キヤノン株式会社

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