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J-GLOBAL ID：200903047102859946

炭化珪素膜の製造方法

Inventor： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998322331
Publication number (International publication number)：2000150393
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】化学蒸着(CVD)により基板上に形成された炭化珪素の表面の少なくとも一部を500nm以上除去することにより、欠陥が少なく電気的に良好な炭化珪素表面を提供する。【解決手段】炭化珪素成長終了時の結晶成長温度からの降温過程で残留ガスにより堆積した結晶性が悪く欠陥を含んだ余分な表面22を除去し、欠陥が低減された炭化珪素24上にショットキー電極25を形成する。基板Bの表面はリアクティブイオンエッチング(RIE)装置によりエッチングする。ガス種として四弗化炭素(CF4)および酸素(O2)の混合ガスを用いる。

Claim (excerpt)：

化学蒸着(CVD)により基板上に形成された炭化珪素の表面の少なくとも一部を、膜厚方向に500nm以上除去することを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/872

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/32 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/48 D

F-Term (42)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  4M104AA03 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD22 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA34 ,  5F004FA01 ,  5F004FA07 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA61 ,  5F045DP04 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-150085   Applicant：ホーヤ株式会社