Pat
J-GLOBAL ID:200903047138506594
レジストパターンの形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000005581
Publication number (International publication number):2001194768
Application date: Jan. 14, 2000
Publication date: Jul. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】コンタクトホールの小径化ができる簡易なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板1上にレジスト2を形成し、該レジストの所定の領域にコンタクトホール形成用ホール3を所定の間隔で複数形成後リフローし、コンタクトホール形成用ホール3を変形させ、小径化するレジストパターンの形成方法において、コンタクトホール形成用ホール3の周りにレジスト2の流動の防波堤として働き、コンタクトホール形成用ホール3の変形量を制御し、リフロー工程で消滅するスリットパターン4を設ける。
Claim (excerpt):
基板上にフォトレジストを形成し、該レジストの所定の領域にフォトリソグラフィ技術によりコンタクトホール形成用ホールを所定の間隔で複数形成後リフローし、該コンタクトホール形成用ホールを変形させ、小径化するレジストパターンの形成方法において、前記レジストの前記所定の領域に複数形成された前記コンタクトホール形成用ホールの周りにスリットパターン設けたことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4):
G03F 1/08
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 511
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 A
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 511
, H01L 21/30 502 R
F-Term (23):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE01
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025FA29
, 2H025FA33
, 2H095BA06
, 2H095BA07
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BB38
, 2H095BC09
, 2H096AA25
, 2H096BA10
, 2H096BA11
, 2H096HA01
, 2H096HA05
Patent cited by the Patent: