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J-GLOBAL ID：200903047223107798

半導体装置および半導体基板の処理方法

Inventor： 中野 由崇 ,  石子 雅康 ,  只野 博
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000180814
Publication number (International publication number)：2001358146
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 局所的に位置する少数キャリアのライフタイムを制御することができる、半導体基板の処理方法を提供すること。【解決手段】 シリコンからなる半導体基板101に窒素(n)イオンを注入する工程と、窒素(n)イオンをアニールすることにより、半導体基板101中に窒素を含むクラスター含有層103を形成する工程と、を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板中に窒素を含むクラスター含有層を備える、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/322 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/322 K ,  H01L 29/74 Q ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 658 H

F-Term (11)：

5F005AF02 ,  5F005AG03 ,  5F005AH04 ,  5F040DA24 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EB14 ,  5F040EB18 ,  5F040EM03 ,  5F040EM08 ,  5F040FC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-264751
  
• 特開昭52-144979
  
• 特開平1-111340