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J-GLOBAL ID：200903033280431614

位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス

Inventor： 橋本圭司 ,  藤川潤二 ,  毛利 弘 ,  高橋正泰 ,  宮下裕之 ,  飯村幸夫
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083434
Publication number (International publication number)：1994308713
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 通常フォトマスク洗浄に用いられている物理的洗浄がそのまま適応でき、かつ、高精度で垂直な加工断面を有する位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス。【構成】 透明基板1上に、透明な領域5と物理的気相成長法により形成したクロム化合物からなる半透明層4の領域とを有し、転写時の露光波長に対して、透明な領域5の透過率を100%としたとき、半透明層4の領域の透過率が3〜35%であり、かつ、半透明層4の領域が透明な領域5に対して、露光波長の位相を実質上180°シフトさせる構成とする。クロム化合物は、クロム、酸素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、単層膜又は2層以上の多層膜からなる。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、透明な領域と物理的気相成長法により形成したクロム化合物からなる半透明層の領域とを有し、転写時の露光波長に対して、透明な領域の透過率を100%としたとき、半透明層の領域の透過率が3〜35%であり、かつ、半透明層の領域が透明な領域に対して、露光波長の位相を実質上180°シフトさせる構成としたことを特徴とする位相シフトフォトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フオトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-152084   Applicant：日本電気株式会社
• 露光用マスク、露光マスク用基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048301   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-242252
  
• 特開平2-242252