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J-GLOBAL ID：200903047352925685

誘電体薄膜素子およびその製造方法

Inventor： 中村 孝則
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 小柴 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995295055
Publication number (International publication number)：1997139474
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板、ならびに、その上に順次形成された、下部電極、誘電体薄膜および上部電極を備え、誘電体薄膜がPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 のような緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体からなるとき、この誘電体のペロブスカイト化率を高め、高い誘電率が得られるようにする。【解決手段】 下部電極3と誘電体薄膜5との間に、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなるバッファ層4を形成する。このようなバッファ層4は、緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜5のペロブスカイト化を容易にし、ペロブスカイト化率を向上させる。

Claim (excerpt)：

基板を用意し、前記基板上に下部電極を形成し、前記下部電極上にペロブスカイト構造を有する酸化物からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体からなる誘電体薄膜を形成し、前記誘電体薄膜上に上部電極を形成する、各工程を備える、誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-342726   Applicant：株式会社日立製作所
• 緩衝層としてPb/Biを含有しないペロブスカイトを用いたPb/Biを含有する高比誘電率酸化物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104552   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333827   Applicant：シャープ株式会社