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J-GLOBAL ID：200903006654121587

緩衝層としてPb/Biを含有しないペロブスカイトを用いたPb/Biを含有する高比誘電率酸化物

Inventor：
スコット アール.サマーフェルト

About スコット アール.サマーフェルト


Applicant, Patent owner：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

About テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104552
Publication number (International publication number)：1994224184
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体回路内のコンデンサなどの容量を大きくするために、比誘電率の高い安定した酸化物を半導体基板上に設けるための方法と構造を開示する。【構成】 半導体基板(10)上に直接または間接に設けたPb/Biを含有しない高比誘電率酸化物の緩衝層(26)と、緩衝層(26)上に設けたPb/Biを含有する高比誘電率酸化物(28)とを含む。ゲルマニウム層(12)を半導体基板上にエピタキシャル成長させ、緩衝層(26)をゲルマニウム層(12)上に成長させることが望ましい。基板がケイ素の場合は、酸化物層(26)の厚さは約10nm以下であることが望ましい。第2のPb/Biを含有しない高比誘電率酸化物層(30)を酸化物(28)上に成長させてよく、また上部電極(32)を酸化物層(30)上に成長させてよい。
Claim (excerpt)：
Pb/Biを含有しない高比誘電率酸化物層の緩衝層を直接または間接に半導体基板上に成長させ、Pb/Biを含有する高比誘電率酸化物を前記緩衝層上に堆積させる、ことを含む半導体回路に有用な構造を製作する方法。
IPC (3)：
H01L 21/314 ,  C23C 14/08 ,  H05K 1/03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開平4-088685
  • 特開昭62-128992
  • 特開平4-206870
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-088685
  • 特開昭62-128992
  • 特開平4-206870
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