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J-GLOBAL ID：200903047377041684

フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法

Inventor：
品川 勉

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丸山 保

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金子 英雄

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小島 幹夫

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稲月 判臣

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岡崎 智

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Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

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Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001035783
Publication number (International publication number)：2002244274
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 透光性基板上に少なくとも一層のクロム系遮光膜と少なくとも一層のクロム系反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜及び反射防止膜が酸素、窒素、炭素を含むクロム系膜から形成されており、かつ炭素の含有量を表面側から透光性基板に向かって段階的に又は連続的に低下させてなることを特徴とするフォトマスクブランク。【効果】 本発明によれば、容易にエッチング速度を制御でき、垂直な断面形状を与えるフォトマスクブランクを得ることができ、かつ膜質が均一な高品質なフォトマスクブランクス及びフォトマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に対応することができる。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に少なくとも一層のクロム系遮光膜と少なくとも一層のクロム系反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜及び反射防止膜が酸素、窒素、炭素を含むクロム系膜から形成されており、かつ炭素の含有量を表面側から透光性基板に向かって段階的に又は連続的に低下させてなることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (5)：
G03F 1/08 ,  C23C 14/06 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (6)：
G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 L ,  C23C 14/06 K ,  G03F 1/14 F ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (16)：
2H095BB25 ,  2H095BB31 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09 ,  2H095BC14 ,  4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA05 ,  4K029HA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
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