SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004205751
Publication number (International publication number)：2006032457
Application date： Jul. 13, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】 n型SiCに対して良好なオーミック接触を得ることができるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1の主面と該第1の主面に背向する第2の主面とを有するn+型SiC基板11と、第2の主面上に形成されたエピタキシャル層13と、エピタキシャル層13上に形成されると共に、エピタキシャル層13とオーミック接触した電極14とを有することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の主面と該第1の主面に背向する第2の主面とを有するn型SiC基板と、前記第2の主面上に形成されたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成されると共に、該エピタキシャル層とオーミック接触した電極とを有することを特徴とするSiC半導体装置。

IPC (10)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/739 , H01L 29/41 , H01L 21/336 , H01L 29/73 , H01L 21/331 , H01L 29/74

FI (9)：

H01L29/48 D , H01L29/78 652G , H01L29/78 652L , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/44 L , H01L29/78 658E , H01L29/72 , H01L29/74 J

F-Term (28)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BH11 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F005AA03 , 5F005AH02 , 5F005GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-271419 Applicant：松下電器産業株式会社
炭化ケイ素ショットキーデバイスのためのエピタキシャルエッジ終端およびこれを含む炭化ケイ素デバイスの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-547239 Applicant：クリーインコーポレイテッド
SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-226065 Applicant：富士電機株式会社

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Cited by examiner (1)

炭化ケイ素ショットキーデバイスのためのエピタキシャルエッジ終端およびこれを含む炭化ケイ素デバイスの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-547239 Applicant：クリーインコーポレイテッド

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