SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001271419
Publication number (International publication number)：2003086816
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 SiC基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のSiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiCバルク基板11の裏面に、基板のキャリア濃度以上のドーパントイオン13を多段階に注入して注入層12を形成する。その後、CVD炉内で基板を加熱して、SiCバルク基板11上にSiCのエピタキシャル成長層14を形成する。同時に、基板裏面に注入されたドーパントイオンが活性化され、不純物ドープ層15が形成される。基板の裏面側に不純物ドープ層15を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のSiC半導体素子を製造することができる。

Claim (excerpt)：

SiCバルク基板と、上記SiCバルク基板の主面に対向する面側に設けられ、不純物を上記SiCバルク基板の内部領域とは異なる濃度で含むSiCからなる不純物ドープ層とを有するSiC基板。

IPC (8)：

H01L 29/872 , C23C 14/48 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653

FI (9)：

C23C 14/48 Z , H01L 21/205 , H01L 21/265 602 A , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/48 D , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 E

F-Term (30)：

4K029AA04 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029GA01 , 4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104FF02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CB10 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F045EK02 , 5F045GB12 , 5F045HA05 , 5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-500936 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072365 Applicant：株式会社デンソー

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