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J-GLOBAL ID：200903085909823936

SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法

Inventor： 高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  楠本 修 ,  横川 俊哉 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子 ,  北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001271419
Publication number (International publication number)：2003086816
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 SiC基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のSiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiCバルク基板11の裏面に、基板のキャリア濃度以上のドーパントイオン13を多段階に注入して注入層12を形成する。その後、CVD炉内で基板を加熱して、SiCバルク基板11上にSiCのエピタキシャル成長層14を形成する。同時に、基板裏面に注入されたドーパントイオンが活性化され、不純物ドープ層15が形成される。基板の裏面側に不純物ドープ層15を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のSiC半導体素子を製造することができる。

Claim (excerpt)：

SiCバルク基板と、上記SiCバルク基板の主面に対向する面側に設けられ、不純物を上記SiCバルク基板の内部領域とは異なる濃度で含むSiCからなる不純物ドープ層とを有するSiC基板。

IPC (8)：

H01L 29/872 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653

FI (9)：

C23C 14/48 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 E

F-Term (30)：

4K029AA04 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CB10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57 ,  5F045EK02 ,  5F045GB12 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-500936   Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
• イオン注入により導入された不純物原子を有する半導体構成要素及びその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-510314   Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072365   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素への電極形成法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-289530   Applicant：松下電器産業株式会社
• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-226065   Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (5)

• 炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-500936   Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
• イオン注入により導入された不純物原子を有する半導体構成要素及びその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-510314   Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072365   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素への電極形成法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-289530   Applicant：松下電器産業株式会社
• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-226065   Applicant：富士電機株式会社