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J-GLOBAL ID：200903047523910738

ナノ構造の作製方法

Inventor：
矢ヶ部 太郎

About 矢ヶ部 太郎

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藤田 大介

About 藤田 大介

, 
宇治 進也

About 宇治 進也


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003131083
Publication number (International publication number)：2004335817
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【課題】形状が制御されたナノ構造を基板表面上に容易に作製することのできるナノ構造の作製方法を提供する。【解決手段】Si基板(2)表面上の所定位置を蒸着物質Ni(3)で覆うことで、あらかじめSi基板(2)上を蒸着物質に覆われた蒸着部(4)とSi基板(2)が剥き出しの非蒸着部(5)とに区分し、Si基板(2)を真空中または不活性ガス中において加熱処理することにより、蒸着物質Ni(3)をSi基板(2)上の蒸着部(4)から非蒸着部(5)に対して拡散させてSi基板(2)上にナノ構造を作製する方法において、加熱処理の際に加熱温度を制御することでナノ構造の形状を制御する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板表面上の所定位置を蒸着物質で覆うことで、あらかじめ基板表面上を蒸着物質に覆われた蒸着部と基板が剥き出しの非蒸着部とに区分し、基板を真空中または不活性ガス中において加熱処理することにより、蒸着物質を蒸着部から非蒸着部に対して拡散させて基板表面上にナノ構造を作製する方法において、 加熱処理の際に加熱温度を制御することでナノ構造の形状を制御することを特徴とするナノ構造の作製方法。
IPC (2)：
H01L29/06 ,  B82B3/00
FI (2)：
H01L29/06 601N ,  B82B3/00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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