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J-GLOBAL ID:200903068255185755
ナノスケール電子デバイスおよび製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003521143
Publication number (International publication number):2005500678
Application date: Aug. 20, 2002
Publication date: Jan. 06, 2005
Summary:
本発明は、基板表面上の2つの接触子の間に導電性ナノ電線を形成する方法であって、接触子間の領域内で基板に複数のナノ粒子を蒸着させ、接触子間の通電を監視し、通電が開始すると蒸着を止め、かつ/またはナノ粒子にナノ電線を形成させる構造的特徴を達成するために基板を改質するか、または既存の当該構造的特徴を利用することによって、実質的に2つの接触子の間を通る単一のナノ電線を形成する方法に関する。得られる導電性ナノ電線、ならびに当該ナノ電線を組み込んだデバイスも請求の対象とする。
Claim (excerpt):
基板上のいくつかの接触子の間に少なくとも単一の導電性ナノ粒子鎖を形成する方法であって、
a.基板上に接触子を形成するステップと、
b.複数のナノ粒子を作製するステップと、
c.基板上の少なくとも接触子の間の領域に複数のナノ粒子を蒸着するステップと、
d.接触子の間に導電性ナノ粒子鎖を形成するステップとを含む方法。
IPC (5):
H01L29/06
, B82B3/00
, H01B5/00
, H01B5/14
, H01B13/00
FI (5):
H01L29/06 601N
, B82B3/00
, H01B5/00
, H01B5/14
, H01B13/00 501Z
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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単一電子素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-154041
Applicant:日本電気株式会社
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射出成形プリント基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-161607
Applicant:松下電工株式会社
Article cited by the Patent:
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