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J-GLOBAL ID：200903047538448917

薄膜ガスセンサ

Inventor： 宮田 浩一 ,  橘 武史 ,  横田 嘉宏 ,  林 和志 ,  高田 義
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998139341
Publication number (International publication number)：1999326257
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Nov. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ホスフィン、ジボラン及びシラン等のように、人体に対し毒性が高いガスの漏洩が生じた場合にも、ガス濃度が低い段階(例えば0.1ppm)でこれを検出することができる高感度の薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 基板4上に、アンドープ・ダイヤモンド層1及びp型半導体ダイヤモンド層2が積層され、このp型半導体ダイヤモンド層2上に、その電気抵抗の変化を検出する1対の電極6が設けられている。このp型半導体ダイヤモンド層2にはボロンが原子濃度1016乃至1019/cm3でドーピングされ、その厚さが50nm乃至1μmである。

Claim (excerpt)：

アンドープ・ダイヤモンド層と、このアンドープ・ダイヤモンド層上に形成されたp型半導体ダイヤモンド層と、このp型半導体ダイヤモンド層における電気抵抗の変化を検出する1対の電極とを有し、この電極の検出結果によりガスの存在又はその濃度を検知することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04

FI (3)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C ,  G01N 27/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ガスセンサおよびガス検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-094780   Applicant：学校法人東海大学, ニッタン株式会社