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J-GLOBAL ID:200903047703453807

磁気抵抗効果型ヘッドおよび記録再生分離型複合ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995026453
Publication number (International publication number):1996221721
Application date: Feb. 15, 1995
Publication date: Aug. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】磁気抵抗効果型ヘッドおよび記録再生分離型複合ヘッド素子の形成において、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する1対の電極を短絡するにより、プロセス途中の静電気による素子の絶縁破壊を防止し、高い歩留りで素子を形成する。【構成】磁気抵抗効果型ヘッドを構成する1対の電極を短絡線で接続。該短絡線は加工時に除去、あるいは、該1対の電極を短絡しないようにその1分を除去。【効果】プロセス途中の静電気による素子の破壊を防止でき、高い歩留りで素子形成が可能となる。
Claim (excerpt):
上部、下部シールド、磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス膜、該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された1対の電極、該磁気抵抗効果膜、該電極と該上部、該下部シールド膜間に形成された上部、下部ギャップ膜、バルクハウゼンノイズ抑止のために磁気抵抗効果膜と磁気的につながり、かつ該磁気抵抗効果膜の両端に形成された磁区制御膜等からなる磁気抵抗効果型ヘッド素子が形成された基板において、該1対の電極が挟む該磁気抵抗効果膜およびバイアス膜よりなる抵抗体より小さな抵抗値を持つ短絡線により該1対の電極が電気的につながった磁気抵抗効果型ヘッド素子群が形成されていることを特徴とする基板。
IPC (3):
G11B 5/39 ,  G11B 5/265 ,  G11B 5/31
FI (4):
G11B 5/39 ,  G11B 5/265 Z ,  G11B 5/31 F ,  G11B 5/31 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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