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J-GLOBAL ID：200903047715637040

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 前田 圭一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997172447
Publication number (International publication number)：1999016906
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 埋め込み配線技術により形成した配線の表面酸化を防止し、抵抗の上昇や信頼性の低下を防止する。【解決手段】 基板10上に形成された絶縁膜1に配線溝2が形成され、その配線溝2に配線材料4を埋め込むことにより形成された溝配線5を有する半導体装置において、溝配線5の表面に自己整合的に酸化防止膜11を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された絶縁膜に配線溝が形成され、その配線溝に配線材料を埋め込むことにより形成された溝配線を有する半導体装置において、溝配線の表面に自己整合的に酸化防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-230173   Applicant：三菱電機株式会社
• キャップ付き銅電気相互接続構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-109176   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション