SOI基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124854
Publication number (International publication number)：1996316443
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】ゲッタリング能力を有しSOI層と支持基板の両方を重金属で汚染させない。基板の構造から生じるデバイス特性への悪影響を緩和し、2枚のウェーハの接着性を良好にする。【構成】支持基板となる第1シリコンウェーハ11の表面に第1多結晶シリコン層16を形成し、活性層となる第2シリコンウェーハ12の表面に第2多結晶シリコン層17を形成し、この多結晶シリコン層17上に絶縁層13を形成し、2枚のシリコンウェーハ11及び12を絶縁層13を2つの多結晶シリコン層16,17で挟むように接合し、熱処理して貼り合わせた後、ウェーハ12を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のSOI層12aとする。

Claim (excerpt)：

支持基板となるシリコンウェーハ(11)上に第1多結晶シリコン層(16)と絶縁層(13)と第2多結晶シリコン層(17)がこの順に形成され、前記第2多結晶シリコン層(17)上にデバイス形成用のSOI層(12a)が形成されたSOI基板。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/322

FI (2)：

H01L 27/12 B , H01L 21/322 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-103950
特開平2-103950
SOI基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-084036 Applicant：信越半導体株式会社

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