Pat

J-GLOBAL ID：200903047726347290

半導体装置

Inventor： 小野 行徳 ,  高橋 庸夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196483
Publication number (International publication number)：1997045915
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】微小な半導体島群、細線群を互いに相互作用のある形で多重連結し、かつ、その機能を電気信号として取り出す。【解決手段】絶縁層上の半導体層を含んでなる半導体装置において、前記半導体層の一部が他の部分より薄く加工され、薄く加工された該半導体層(2)、(3)は、薄く加工されていない厚い領域(1)にはさまれており、薄く加工された該半導体層(2)の長さを制御することにより、一部をトンネル絶縁性、残りの部分を完全絶縁性とした構成。

Claim (excerpt)：

絶縁層上の半導体層を含んでなる半導体装置において、前記半導体層の一部が他の部分より薄く加工され、かつ、薄く加工された該半導体層の一部がトンネル絶縁性、残りの部分が完全絶縁性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80

FI (4)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 A