磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002307686
Publication number (International publication number)：2004111887
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】より強力な磁界を効率よく利用し、安定した書込が可能な磁気メモリデバイスおよびそれに搭載される磁気抵抗効果素子を提供する。さらに、そのような磁気メモリデバイスを容易に製造するための方法を提供する。【解決手段】外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えるようにしたので、複数の導線に電流を流すことによって閉じた磁路を形成することができ、感磁層における磁化の反転をより効率よく行うことができる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、前記積層体の一方の面側に、前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01L27/105

FI (4)：

H01L43/08 Z , G11C11/15 110 , G11C11/15 120 , H01L27/10 447

F-Term (19)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA28 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA10 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR04 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083ZA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-090768 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリセルと磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-087389 Applicant：シャープ株式会社
磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-045447 Applicant：シャープ株式会社

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