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J-GLOBAL ID：200903047731985857

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法

Inventor：
江▲崎▼ 城一朗

About 江▲崎▼ 城一朗

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古賀 啓治

About 古賀 啓治

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柿沼 裕二

About 柿沼 裕二


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002307686
Publication number (International publication number)：2004111887
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】より強力な磁界を効率よく利用し、安定した書込が可能な磁気メモリデバイスおよびそれに搭載される磁気抵抗効果素子を提供する。さらに、そのような磁気メモリデバイスを容易に製造するための方法を提供する。【解決手段】外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えるようにしたので、複数の導線に電流を流すことによって閉じた磁路を形成することができ、感磁層における磁化の反転をより効率よく行うことができる。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、 前記積層体の一方の面側に、前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層と を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105
FI (4)：
H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01L27/10 447
F-Term (19)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA28 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR04 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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