磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001090768
Publication number (International publication number)：2002289807
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】トンネル接合素子を用いた固体磁気メモリにおいて、書き込み配線からの磁界発生効率を高める、さらに書き込み時の半選択セルへの誤書き込みを防ぐため書き換え電流値の許容幅を高める手段を提供する。【解決手段】二本の書き込み配線をトンネル接合素子近傍に於いて略平行に走行するように配置する。メモリ全体領域では二本の書き込み配線は直交し、クロスポイント型の配置となるのでセル選択は容易である。磁気シールド、バイアス膜を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

第1の面上で行方向に配列された複数の第1の書き込み線と、前記複数の第1の書き込み線の内、所望の第1の書き込み線を選択する第1のアドレスデコーダと、前記第1の面と異なりかつ平行する第2の面上で列方向に配列され、前記複数の第1の書き込み線に交差する複数の第2の書き込み線と、前記複数の第2の書き込み線の内、所望の第2の書き込み線を選択する第2のアドレスデコーダと、前記第1と第2の書き込み線の交差点の各々において、第1と第2の書き込み線により膜面垂直方向に挟まれるように配置された磁気抵抗効果素子と、を具備し、前記第1と第2の書き込み線は前記交差点において両書き込み線に流される電流が略平行となる部分を有することを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA15 , 5F083JA60 , 5F083LA01 , 5F083LA02 , 5F083LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

情報記録媒体とその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-199827 Applicant：セイコーエプソン株式会社
完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-525006 Applicant：インテグレイテッドマイクロトランスデューサーエレクトロニクスコーポレイション
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108905 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page