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J-GLOBAL ID：200903047779094890
磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
宮崎 昭夫
, 金田 暢之
, 伊藤 克博
, 石橋 政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003311307
Publication number (International publication number)：2005079508
Application date： Sep. 03, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：
【課題】小さな書き込み電流で情報の書き込みが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】本発明の磁性膜又は多層磁性膜は、他の部分に比べて相対的に磁化反転しやすい部分を局所的に有する。本発明の磁性膜の磁化反転機構は、磁性膜の一部に他の部分に比べて相対的に強い磁界を印加する印加突起を有する。本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
他の部分に比べて相対的に磁化反転しやすい部分が局所的に設けられている磁性膜。
IPC (3)：
H01L43/08
, G11C11/15
, H01L27/105
H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
, G11C11/15 112
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA60
