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J-GLOBAL ID：200903047791725625
地震被害推定方法及びその装置、並びにプログラム記録媒体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大川 洋一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001127590
Publication number (International publication number)：2002323571
Application date： Apr. 25, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 各構造物の耐震性能に応じて地震時構造物被害の程度を個別にきめ細かくかつ簡易に判断し得る地震被害推定方法等を提供する。【解決手段】 過去の地震動波形が構造物モデルに加えられた場合の構造物被害程度関数曲線をあらかじめ求めておき、実際の地震動波形の卓越周期T1を実際の構造物の降伏加速度aSy1で除算して正規化周期を得るとともに、実際の地震動波形の最大加速度aGM1を実際の構造物の降伏加速度aSy1で除算して正規化加速度を得て、これらを各直交座標とする実際データ点を正規化座標平面上にプロットし、構造物被害程度関数曲線と実際データ点との関係に基づき、実際の地震動波形が実際の構造物に加わった場合の構造物被害程度を推定する。
Claim (excerpt)：
降伏点応力に達するときの構造物の振動加速度である降伏加速度a<SB>Sy</SB>と、前記降伏点応力に達するときの振動周期である降伏周期T<SB>Sy</SB>を有する構造物モデルに、振動加速度の最大値である最大加速度a<SB>GM</SB>と、フーリエ変換により周波数領域に変換した場合に振幅が最大となるときの周期である卓越周期Tを有するモデル地震動波形を入力した場合の前記構造物モデルのモデル応答波形を、n<SB>1</SB>個の前記構造物モデルとn<SB>2</SB>個の前記モデル地震動波形について、非線形時刻歴動的解析により算出し、前記算出されたモデル応答波形に基づくモデルデータ点を、前記卓越周期Tを前記降伏周期T<SB>Sy</SB>で除算した正規化周期(T/T<SB>Sy</SB>)を一方の直交座標軸にとるとともに、前記最大加速度a<SB>GM</SB>を前記降伏加速度a<SB>Sy</SB>で除算した正規化加速度(a<SB>GM</SB>/a<SB>Sy</SB>)を他方の直交座標軸にとった座標平面である正規化座標平面の上にn<SB>3</SB>個プロットし、前記モデル地震動波形が加わった場合の前記構造物モデルの応答変位波形の最大振幅をδ<SB>max</SB>とし、静的荷重が加えられた場合の前記構造物モデルが静的に降伏するときの変位量をδ<SB>y</SB>としたとき、δ<SB>max</SB>/δ<SB>y</SB>で求められる値を応答塑性率μとしたとき、前記正規化座標平面の上にプロットされたn<SB>3</SB>個のモデルデータ点を、前記応答塑性率μが0<μ<μ<SB>1</SB>の範囲となる場合、前記応答塑性率μがμ<SB>1</SB>≦μ<μ<SB>2</SB>の範囲となる場合、...、前記応答塑性率μがμ<SB>i-1</SB>≦μ<μ<SB>i</SB>の範囲となる場合、のようにi個のグループにグループ分けを行い、1つのグループのモデルデータ点を1つの前記正規化座標平面の上にプロットするようにして各グループごとのグラフを作成し、前記各グループのグラフにおいて、前記モデルデータ点の集合が示す領域の下限輪郭線を描くことにより、その応答塑性率範囲における前記構造物モデルの被害程度を表す関数曲線である構造物被害程度関数曲線を求め、観測された実際の地震動波形の前記最大加速度がa<SB>GM1</SB>で、かつ前記卓越周期がT<SB>1</SB>で、被害推定を行う対象となる実際の構造物の前記降伏加速度がa<SB>Sy1</SB>で、かつ前記降伏周期がT<SB>Sy1</SB>の場合に、正規化周期をT<SB>1</SB>/T<SB>Sy1</SB>により算出するとともに、正規化加速度をa<SB>GM1</SB>/a<SB>Sy1</SB>により算出し、算出された正規化周期と正規化加速度を各直交座標とした場合の実際データ点を前記正規化座標平面上にプロットし、前記応答塑性率の値ごとに得られた前記構造物被害程度関数曲線と前記実際データ点との関係に基づき、前記実際の地震動波形が前記実際の構造物に加わった場合の構造物被害程度を推定することを特徴とする地震被害推定方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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