半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋田収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039185
Publication number (International publication number)：1997232671
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】電気容量低減型半導体レーザの高出力・長寿命化。【解決手段】 n型GaAs基板と、前記n型GaAs基板の主面にn型GaAsバッファ層を介して設けられたn型AlGaInP光導波層と、前記n型AlGaInP光導波層上に設けられた活性層(GaInP/AlX Ga1-X InP歪多重量子井戸構造活性層)と、前記活性層上に設けられたp型AlGaInP光導波層と、前記p型AlGaInP光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記n型AlGaInP光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっている。【効果】光導波路形成部の端での放熱性が高く高出力化・長寿命化が図れる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の主面側に直接または所望の化合物半導体層を介して設けられた化合物半導体層からなる第1導電型光導波層と、前記第1導電型光導波層上に設けられた化合物半導体層からなる活性層と、前記活性層上に設けられた化合物半導体層からなる第2導電型光導波層と、前記第2導電型光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記第1導電型光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-098997 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-169393 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327776 Applicant：三菱電機株式会社

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