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J-GLOBAL ID：200903047836798750

CZ法による単結晶製造装置の冷却システム

Inventor： 太田 一男
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038643
Publication number (International publication number)：1993208888
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良質で、かつ形状精度の良い単結晶を、高い歩留りで得ることができるような、CZ法による単結晶製造装置の冷却システムを提供する。【構成】 チャンバ1と冷却水供給装置2との間にインラインチラー3を設け、Si単結晶の引き上げ工程ごとに、かつチャンバ1、ヒータ電極4およびるつぼ軸5などの冷却部位ごとに、それぞれ最適温度の冷却水を供給する。これにより、冷却システムの温度制御性が向上し、結晶形状の精度を高めることができ、結晶歩留りが向上する。また、Si単結晶8に放射される輻射熱をチャンバ1の内壁上部に反射させる外周面を備え、Si単結晶8を包囲する中空管状部材10を用いることにより、単結晶の外周への熱履歴を制御することができるとともに、冷却性能を向上させることができる。従って、結晶内部品質特にOi濃度が一定に保たれ、高品質の単結晶を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

CZ法を用いる単結晶製造装置と冷却水供給装置との間に水温調節装置を設け、チャンバ、るつぼ軸、ヒータ電極、シード軸など単結晶製造装置の各部位を冷却する冷却水の温度を、単結晶引き上げの各工程ごとに可変としたことを特徴とするCZ法による単結晶製造装置の冷却システム。

IPC (2)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-340223   Applicant：株式会社日鉱共石
• 特開平1-160892