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J-GLOBAL ID：200903047845766411

光学活性β-ヒドロキシケトンの製造法

Inventor： 三上 幸一 ,  松川 覚 ,  清水 正毅 ,  寺田 眞浩 ,  佐用 昇
Applicant, Patent owner： 高砂香料工業株式会社
Agent (1)： 小野 信夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993076391
Publication number (International publication number)：1994263682
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 20, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】で表されるシリルエノールエーテルと、で表される置換アルデヒドとを、で表されるビナフトール-チタン錯体の存在下に反応せしめることを特徴とするで表される光学活性β-ヒドロキシケトンを触媒的不斉アルドール反応により製造する方法。(R1,2は水素原子、低級アルキル基を、R3は低級アルキル基、低級アルキルオキシ基、フェニル基、フェニルオキシ基または低級アルキルチオ基を示し、R′は低級アルキル基またはフェニル基を示し、R4は低級アルキル基、低級アルキルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、低級アルキルオキシカルボニル基を示し、Xは塩素原子又は臭素原子を示す)【効果】ジアステレオ選択的かつエナンチオ選択的に、光学活性β-ヒドロキシケトンを製造できる。

Claim (excerpt)：

一般式(II)【化1】(式中、R1、R2は同一または異なって水素原子または低級アルキル基を、R3は低級アルキル基、低級アルキルオキシ基、フェニル基、フェニルオキシ基または低級アルキルチオ基を示し、3つのR'は同一または異なって低級アルキル基またはフェニル基を示す)で表されるシリルエノールエーテルと、一般式(III)、【化2】(式中、R4は低級アルキル基、低級アルキルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、低級アルキルオキシカルボニル基を示す)で表される置換アルデヒドとを、式(IV)、【化3】(式中、Xは塩素原子または臭素原子を示す)で表されるビナフトール-チタン錯体の存在下に反応せしめることを特徴とする一般式(I)【化4】(式中、R1、R2、R3、R4およびR'は前記と同じ意味を有する)で表される光学活性β-ヒドロキシケトンを触媒的不斉アルドール反応により製造する方法。

IPC (13)：

C07C 45/67 ,  B01J 31/22 ,  C07B 53/00 ,  C07C 67/333 ,  C07C 67/38 ,  C07C 69/675 ,  C07C 69/708 ,  C07C 69/712 ,  C07C 69/732 ,  C07C 69/734 ,  C07C319/20 ,  C07C323/22 ,  C07B 61/00 300